技術(shù)優(yōu)享丨關(guān)于道南(Donnan)效應(yīng)

其傳質(zhì)受膜面與電解質(zhì)電荷作用的影響很大，代表性的傳質(zhì)模型有Donnan平衡模型、空間電荷模型、固定電荷模型和雜化模型等。

將荷電基團(tuán)的膜置于含鹽溶劑中時(shí)，溶液中的反離子(所帶電荷與膜內(nèi)固定電荷相反的離子)在膜內(nèi)濃度大于其在主體溶液中的濃度，而同名離子在膜內(nèi)的濃度則低于其在主體溶液中的濃度。由此形成的Donnan位差阻止了同名離子從主體溶液向膜內(nèi)的擴(kuò)散，為了保持電中性，反離子也被膜截留。

大多數(shù)荷電反滲透膜中荷電基團(tuán)為帶負(fù)電子的磺酸根及羧酸根。

膜的截留率(R)近似為:

R=1-K

該模型把膜截留率與膜的電荷容量、料液中溶質(zhì)濃度及離子的荷電數(shù)相關(guān)聯(lián)，但沒有考慮擴(kuò)散和對(duì)流的影響，而這些作用在荷電膜中也是很重要的。